MBRD660CT中文资料参数规格
技术参数
正向电压 700mV @3A
正向电压Max 700mV @3A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MBRD660CT引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MBRD660CT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBRD660CT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-252-3 | 当前型号 | 肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 60 Volt | 当前型号 |
| 型号： MBRD660CTG 品牌： 安森美 封装： DPAK 60V 6A 900mV | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MBRD660CTG 肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 6 A, TO-252, 4 引脚, 900 mV | MBRD660CT和MBRD660CTG的区别 |
| 型号： MBRD660CTRLG 品牌： 安森美 封装： DPAK 60V 6A | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MBRD660CTRLG 肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 6 A, TO-252, 3 引脚, 900 mV | MBRD660CT和MBRD660CTRLG的区别 |