MPSW06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MPSW06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
耗散功率 1 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSW06引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPSW06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-226 80V 500mA | 当前型号 | NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier | 当前型号 |
| 型号： MPSW06G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA 1000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MPSW06G 双极晶体管 | MPSW06和MPSW06G的区别 |
| 型号： MPSW06RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA 1000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MPSW06RLRAG 射频晶体管, NPN, 80V 50MHz TO-92 | MPSW06和MPSW06RLRAG的区别 |
| 型号： SSTA06T116 品牌： 罗姆半导体 封装： SST NPN 80V 500mA 350mW | 功能相似 | SSTA06 系列 80 V 0.5 A 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SST-3 | MPSW06和SSTA06T116的区别 |