MPS6726中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @1A, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPS6726引脚图与封装图
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在线购买MPS6726
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS6726 | ON Semiconductor 安森美 | 一瓦的放大器晶体管（ PNP硅） One Watt Amplifier TransistorPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPS6726
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS6726 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -1A | 当前型号 | 一瓦的放大器晶体管（ PNP硅） One Watt Amplifier TransistorPNP Silicon | 当前型号 |
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| 型号： NTE123AP 品牌： NTE Electronics 封装： TO-92 NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE123AP 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 1.5 W, 600 mA, 100 hFE | MPS6726和NTE123AP的区别 |