MJD5731T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -350 V
额定电流 1.00 A
极性 PNP
耗散功率 15 W
增益频宽积 10 MHz
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V
额定功率Max 1.56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1560 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJD5731T4引脚图与封装图
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在线购买MJD5731T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD5731T4 | ON Semiconductor 安森美 | 高电压PNP硅功率晶体管 High Voltage PNP Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号MJD5731T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD5731T4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 PNP -350V 1A | 当前型号 | 高电压PNP硅功率晶体管 High Voltage PNP Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MJD5731T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK PNP -350V -1A 1560mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD5731T4G. 双极性晶体管 | MJD5731T4和MJD5731T4G的区别 |