MJ4502
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
晶体管
MJ4502中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -30.0 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 30A
最小电流放大倍数hFE 25 @7.5A, 2V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 200 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJ4502引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MJ4502
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJ4502 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 PNP -100V -30A | 当前型号 | 功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTOR PNP SILICON | 当前型号 |
| 型号： MJ4502G 品牌： 安森美 封装： TO-3 PNP -100V 30A 200000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJ4502G 单晶体管 双极, 通用, P沟道, 100 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFE | MJ4502和MJ4502G的区别 |