MMBT5088LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT5088LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBT5088LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT5088LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 低噪声晶体管 Low Noise Transistors | 搜索库存 |
替代型号MMBT5088LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5088LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 50A | 当前型号 | 低噪声晶体管 Low Noise Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBT5088LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 50mA 0.3W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5088LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE | MMBT5088LT1和MMBT5088LT1G的区别 |
| 型号： MMBT5088 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | MMBT5088系列 30 V CE击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - SOT-23 | MMBT5088LT1和MMBT5088的区别 |