MJD2955-001中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 20 W
增益频宽积 2 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJD2955-001引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MJD2955-001 | ON Semiconductor 安森美 | 互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications | 搜索库存 |