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MJD2955-001

MJD2955-001

数据手册.pdf

互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 10A 2MHz 1.75W Through Hole I-PAK


得捷:
TRANS PNP 60V 10A IPAK


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab DPAK-3 Rail


MJD2955-001中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

极性 PNP

耗散功率 20 W

增益频宽积 2 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

MJD2955-001引脚图与封装图
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