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MJE171STU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3Pin3+Tab TO-126 Rail

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-126-3


得捷:
TRANS PNP 60V 3A TO126-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


MJE171STU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 12.5 W

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJE171STU引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号MJE171STU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJE171STU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-126 PNP -60V -3A

当前型号

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3Pin3+Tab TO-126 Rail

当前型号

型号: MJE171G

品牌: 安森美

封装: TO-225 PNP -60V -3A 12500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJE171G  晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新

MJE171STU和MJE171G的区别

型号: MJE171

品牌: 安森美

封装: TO-225 PNP -60V -3A 105W

功能相似

塑料互补硅功率晶体管40 - 60 - 80伏12.5沃茨 Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS

MJE171STU和MJE171的区别