MPS6601G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 1.00 A
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPS6601G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPS6601G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS6601G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 25V 1A 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBT5087LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -50mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5087LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE | MPS6601G和MMBT5087LT1G的区别 |
| 型号： ZTX451 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 60V 1A 1000mW | 功能相似 | ZTX451 系列 60 V 1 A NPN 硅 面板 中等功率 晶体管 - TO-92-3 | MPS6601G和ZTX451的区别 |
| 型号： MMBT5087LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -50mA 300mW | 功能相似 | 低噪声晶体管 Low Noise Transistor | MPS6601G和MMBT5087LT3G的区别 |