MPSA18_D26Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MPSA18_D26Z中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 500 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 1500
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSA18_D26Z引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MPSA18_D26Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSA18_D26Z | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号MPSA18_D26Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSA18_D26Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92-3 NPN 0.625W | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： MPSA18RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 200mA 625mW | 功能相似 | 低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon | MPSA18_D26Z和MPSA18RLRAG的区别 |
| 型号： MPSA18RLRMG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 200mA 625mW | 功能相似 | 低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon | MPSA18_D26Z和MPSA18RLRMG的区别 |