MMBT6520LT3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -350 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBT6520LT3G引脚图与封装图
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在线购买MMBT6520LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT6520LT3G | ON Semiconductor 安森美 | 高压晶体管 High Voltage Transistor | 搜索库存 |
替代型号MMBT6520LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT6520LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -350V -500mA | 当前型号 | 高压晶体管 High Voltage Transistor | 当前型号 |
| 型号： MMBT6520LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -350V -500mA 0.3W | 完全替代 | 高压晶体管 High Voltage Transistor | MMBT6520LT3G和MMBT6520LT1的区别 |
| 型号： NSVMMBT6520LT1G 品牌： 安森美 封装： TO-236 PNP 0.3W | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT High Voltage PNP Bipolar Transistor | MMBT6520LT3G和NSVMMBT6520LT1G的区别 |
| 型号： MMBT6520LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -350V -500mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6520LT1G. 双极性晶体管, PNP, -350V, SOT-23 | MMBT6520LT3G和MMBT6520LT1G的区别 |