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MMBT2222AK

MMBT2222AK

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
MMBT2222AK中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT2222AK引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MMBT2222AK Fairchild 飞兆/仙童 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor 搜索库存
替代型号MMBT2222AK
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT2222AK

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW

当前型号

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

当前型号

型号: KST2222AMTF

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW

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MMBT2222AK和KST2222AMTF的区别

型号: MMBT2222A-13-F

品牌: 美台

封装: SOT23 NPN

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型号: MMBT2222A-TP-HF

品牌: 美微科

封装:

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