
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBT2222AK | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBT2222AK 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 | |
型号: KST2222AMTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST2222AMTF 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 35 hFE | MMBT2222AK和KST2222AMTF的区别 | |
型号: MMBT2222A-13-F 品牌: 美台 封装: SOT23 NPN | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R | MMBT2222AK和MMBT2222A-13-F的区别 | |
型号: MMBT2222A-TP-HF 品牌: 美微科 封装: | 类似代替 | SOT-23 NPN 40V 0.6A | MMBT2222AK和MMBT2222A-TP-HF的区别 |