MMBT3906K
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBT3906K中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 350 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT3906K引脚图与封装图
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在线购买MMBT3906K
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT3906K | Fairchild 飞兆/仙童 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 搜索库存 |
替代型号MMBT3906K
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT3906K 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -40V -200mA 350mW | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： KST3906MTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -40V -200mA 350mW | 完全替代 | PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | MMBT3906K和KST3906MTF的区别 |
| 型号： MMBT3906 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -40V -200mA 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT3906 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 300 hFE | MMBT3906K和MMBT3906的区别 |
| 型号： BSR18A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -40V -200mA 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSR18A 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 30 hFE | MMBT3906K和BSR18A的区别 |