MMBTA20LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @5mA, 10V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBTA20LT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBTA20LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA20LT1G | ON Semiconductor 安森美 | SOT-23 NPN 40V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号MMBTA20LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA20LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 100mA | 当前型号 | SOT-23 NPN 40V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： MMBTA20LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 100mA | 完全替代 | 通用放大器（ NPN硅） General Purpose AmplifierNPN Silicon | MMBTA20LT1G和MMBTA20LT1的区别 |
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