MSB710-RT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MSB710-RT1G引脚图与封装图
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在线购买MSB710-RT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MSB710-RT1G | ON Semiconductor 安森美 | PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount | 搜索库存 |
替代型号MSB710-RT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MSB710-RT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59 PNP -50V -500mA | 当前型号 | PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount | 当前型号 |
| 型号： MMBTA55LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -60V -500mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA55LT1G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE | MSB710-RT1G和MMBTA55LT1G的区别 |
| 型号： DSA200200L 品牌： 松下 封装： TO-236-3 PNP | 类似代替 | Mini3-G3-B PNP 50V 0.5A | MSB710-RT1G和DSA200200L的区别 |
| 型号： MMBTA55 品牌： 安森美 封装： SOT-23/SC-59 350mW | 类似代替 | MMBTA55 PNP三极管 -60V -500mA/-0.5A 50MHz 100 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 2H 通用放大器/开关 | MSB710-RT1G和MMBTA55的区别 |