额定电压DC 40.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 15 @20mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MPSH34 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 40V 50mA | 当前型号 | NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier | 当前型号 | |
型号: MPSH81_D26Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-226-3 350mW | 类似代替 | Trans RF BJT PNP 20V 0.05A 3Pin TO-92 T/R | MPSH34和MPSH81_D26Z的区别 | |
型号: MPSH81 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 -20V -50mA 350mW | 功能相似 | PNP晶体管RF PNP RF Transistor | MPSH34和MPSH81的区别 | |
型号: MPSH81_L99Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 | 功能相似 | Trans RF BJT PNP 20V 0.05A 3Pin TO-92 T/R | MPSH34和MPSH81_L99Z的区别 |