MPSW63G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPSW63G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPSW63G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW63G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -500mA 1000mW | 当前型号 | 一瓦达林顿晶体管 One Watt Darlington Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N2925 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N2925 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50V, 360mW, 100mA, 400 hFE | MPSW63G和2N2925的区别 |
| 型号： 2N5769 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Transistors | MPSW63G和2N5769的区别 |
| 型号： BC560B 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | Transistor PNP BC560/BC560B CONTINENTAL DEVICE RoHS Ampere=1V=45 TO92 | MPSW63G和BC560B的区别 |