MZ0912B100Y,114
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NXP
恩智浦
分立器件
MZ0912B100Y,114中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 290000 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
增益 7.6 dB
额定功率Max 290 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-443
外形尺寸
长度 23.1 mm
宽度 10.21 mm
高度 6.32 mm
封装 SOT-443
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MZ0912B100Y,114引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MZ0912B100Y,114 | NXP 恩智浦 | Trans RF BJT NPN 20V 6A 3Pin CDFM Blister | 搜索库存 |