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MS2214中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 W

击穿电压集电极-发射极 55 V

增益 7.5 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @2A, 5V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 250 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 M218

外形尺寸

封装 M218

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MS2214引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MS2214 Microsemi 美高森美 NPN 85W 35V 960 to 1215MHz Flange Mount RF Microwave Transistor - M-218 搜索库存