MS2210
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MS2210中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 940 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
增益 7 dB
最小电流放大倍数hFE 10 @5A, 5V
额定功率Max 940 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 940000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 M-216
外形尺寸
封装 M-216
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MS2210引脚图与封装图
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在线购买MS2210
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MS2210 | Microsemi 美高森美 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.5INCH, HERMETIC SEALED, M216, 2Pin | 搜索库存 |
替代型号MS2210
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MS2210 品牌： Microsemi 美高森美 封装： M216 940000mW | 当前型号 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.5INCH, HERMETIC SEALED, M216, 2Pin | 当前型号 |
| 型号： MX0912B351Y 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, FM-2 | MS2210和MX0912B351Y的区别 |
