MX2N5116
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MX2N5116中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 175 Ω
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 27pF @15VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MX2N5116引脚图与封装图
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