MBRT600100R

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Schottky 100V 600A 3Pin3+Tab Three Tower

阵列 1 对共阳极肖特基 100 V 600A（DC）底座安装三塔

得捷:
DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

艾睿:
Diode Schottky 100V 600A 3-Pin3+Tab Three Tower

AMEYA360:
DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER

Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 100V - 600A - Three Tower

MBRT600100R中文资料参数规格

技术参数

正向电压 880mV @300A

正向电压Max 880mV @300A

正向电流Max 600 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Three Tower

外形尺寸

封装 Three Tower

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MBRT600100R引脚图与封装图

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