MBR600100CTR

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Schottky 100V 600A 3Pin3+Tab Twin Tower

阵列 1 对共阳极肖特基 100 V 300A 底座安装双塔架

得捷:
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

艾睿:
Diode Schottky 100V 600A 3-Pin3+Tab Twin Tower

AMEYA360:
DIODE MODULE 100V 600A 2TOWER

Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 100V - 600A - Twin Tower

MBR600100CTR中文资料参数规格

技术参数

正向电压 880mV @300A

正向电压Max 880mV @300A

封装参数

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 100 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MBR600100CTR引脚图与封装图

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