MURT40060R

GeneSiC Semiconductor 分立器件

整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R

阵列 1 对共阳极标准 400A（DC）底座安装三塔

得捷:
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

贸泽:
整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R

艾睿:
Diode Switching 600V 400A 3-Pin3+Tab Three Tower

Verical:
Diode Switching 600V 400A 3-Pin3+Tab Three Tower

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR MURT40060R Diode Module, Silicon, 600 V, 200 A, 1.7 V, Dual Common Anode

MURT40060R中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.7V @200A

正向电流 200 A

正向电压Max 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

MURT40060R引脚图与封装图

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