MBR50035CTR

GeneSiC Semiconductor 分立器件

肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 500A DC Chassis Mount Twin Tower

得捷:
DIODE MODULE 35V 250A 2TOWER

贸泽:
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R

艾睿:
Diode Schottky 35V 500A 3-Pin3+Tab Twin Tower

AMEYA360:
DIODE MODULE 35V 500A 2TOWER

Electro Sonic:
Diode Schottky 35V 500A 3-Pin3+Tab Twin Tower

MBR50035CTR中文资料参数规格

技术参数

正向电压 750mV @250A

正向电压Max 750mV @250A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MBR50035CTR引脚图与封装图

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