MBR50080CT
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
正向电压 880mV @250A
正向电压Max 880mV @250A
安装方式 Chassis
封装 Twin Tower
封装 Twin Tower
工作温度 100 ℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MBR50080CT | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 80V 500A 3Pin3+Tab Twin Tower | 搜索库存 |