MUR20060CT

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Switching 600V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower

Features

• High Surge Capability

• Types from 400 to 600 V VRRM

• Not ESD Sensitive

得捷:
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER

贸泽:
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R

艾睿:
Diode Switching 600V 200A 3-Pin3+Tab Twin Tower

AMEYA360:
DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER

MUR20060CT中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.7V @50A

反向恢复时间 110 ns

正向电流 200 A

正向电压Max 1.7V @50A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MUR20060CT引脚图与封装图

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