MURT20060R

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Switching 600V 200A 3Pin3+Tab Three Tower

阵列 1 对共阳极标准 200A（DC）底座安装三塔

得捷:
DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER

艾睿:
Diode Switching 600V 200A 3-Pin3+Tab Three Tower

AMEYA360:
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

MURT20060R中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.7V @100A

反向恢复时间 160 ns

正向电压Max 1.7V @100A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MURT20060R引脚图与封装图

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