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MBRT20060
GeneSiC Semiconductor 分立器件

GENESIC SEMICONDUCTOR  MBRT20060  二极管, 碳化硅肖特基, 硅, MBRT2 Series, 60 V, 200 A, 树塔型

阵列 1 对共阴极 肖特基 60 V 100A 底座安装 三塔


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DIODE MODULE 60V 100A 3TOWER


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肖特基二极管与整流器 60V 200A Schottky Recovery


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MBRT20060中文资料参数规格
技术参数

正向电压 800mV @100A

正向电流 200 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1500 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 树塔型

外形尺寸

封装 树塔型

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

MBRT20060引脚图与封装图
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