MBR20080CTR

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Schottky 80V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower

阵列 1 对共阳极肖特基 80 V 200A（DC）底座安装双塔架

得捷:
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER

贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56RV

艾睿:
Diode Schottky 80V 200A 3-Pin3+Tab Twin Tower

AMEYA360:
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER

Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 80V - 200A - Twin Tower

MBR20080CTR中文资料参数规格

技术参数

正向电压 840mV @100A

正向电流 200 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 1500 A

正向电压Max 840mV @100A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MBR20080CTR引脚图与封装图

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