MBR40030CTR
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
MBR40030CTR中文资料参数规格
技术参数
正向电压 650mV @200A
物理参数
工作温度 100 ℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBR40030CTR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MBR40030CTR | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 30V 400A 3Pin3+Tab Twin Tower | 搜索库存 |