MBR12020CTR

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Schottky 20V 120A 2Pin Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 20V 120A DC Chassis Mount Twin Tower

得捷:
DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER

艾睿:
Diode Schottky 20V 120A 2-Pin Twin Tower

Verical:
Diode Schottky 20V 120A 2-Pin Twin Tower

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR MBR12020CTR Diode Module, Silicon, 20 V, 60 A, 650 mV, Single

AMEYA360:
DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER

Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 20V - 120A - Twin Tower

MBR12020CTR中文资料参数规格

技术参数

正向电压 650mV @120A

正向电流 60 A

正向电压Max 650 mV

正向电流Max 120000 mA

封装参数

引脚数 3

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

MBR12020CTR引脚图与封装图

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