MBR400100CT

GeneSiC Semiconductor 分立器件

GENESIC SEMICONDUCTOR MBR400100CT 二极管模块, 硅, 100 V, 200 A, 840 mV, MBR40 Series

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 400A DC Chassis Mount Twin Tower

得捷:
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

e络盟:
二极管模块, 硅, 100 V, 200 A, 840 mV, MBR40 Series

艾睿:
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin3+Tab Twin Tower

Verical:
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR MBR400100CT Diode Module, Silicon, 100 V, 200 A, 840 mV, Single

AMEYA360:
DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER

Electro Sonic:
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin3+Tab Twin Tower

MBR400100CT中文资料参数规格

技术参数

正向电压 840mV @200A

正向电流 200 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 3000 A

正向电压Max 840 mV

正向电流Max 400 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

MBR400100CT引脚图与封装图

暂无图片

在线购买MBR400100CT

型号	制造商	描述	购买
MBR400100CT	GeneSiC Semiconductor	GENESIC SEMICONDUCTOR MBR400100CT 二极管模块, 硅, 100 V, 200 A, 840 mV, MBR40 Series	搜索库存