MBR120100CTR

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Schottky 100V 120A 3Pin3+Tab Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 120A DC Chassis Mount Twin Tower

得捷:
DIODE MODULE 100V 120A 2TOWER

艾睿:
Diode Schottky 100V 120A 3-Pin3+Tab Twin Tower

AMEYA360:
DIODE MODULE 100V 120A 2TOWER

Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 100V - 120A - Twin Tower

MBR120100CTR中文资料参数规格

技术参数

正向电压 840mV @60A

正向电压Max 840mV @60A

封装参数

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MBR120100CTR引脚图与封装图

暂无图片

在线购买MBR120100CTR

型号	制造商	描述	购买
MBR120100CTR	GeneSiC Semiconductor	Diode Schottky 100V 120A 3Pin3+Tab Twin Tower	搜索库存