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MBR12030CTR

MBR12030CTR

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GeneSiC Semiconductor 分立器件

GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR12030CTR  二极管模块, 硅, 30 V, 60 A, 650 mV, 双共阳极, MBR12 Series

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 120A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER


贸泽:
肖特基二极管与整流器 30V 120A Schottky Recovery


e络盟:
二极管模块, 硅, 30 V, 60 A, 650 mV, 双共阳极, MBR12 Series


艾睿:
Diode Schottky 30V 120A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Verical:
Diode Schottky 30V 120A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR12030CTR  Diode Module, Silicon, 30 V, 60 A, 650 mV, Single


AMEYA360:
DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 30V - 120A - Twin Tower


MBR12030CTR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @60A

正向电流 60 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 800 A

正向电压Max 650 mV

正向电流Max 120000 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

MBR12030CTR引脚图与封装图
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