MBR12060CT

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Schottky 60V 120A 3Pin Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 60V 120A DC Chassis Mount Twin Tower

得捷:
DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER

艾睿:
Diode Schottky 60V 120A 3-Pin Twin Tower

AMEYA360:
DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER

Electro Sonic:
Diode Schottky 60V 120A 2-Pin Twin Tower

MBR12060CT中文资料参数规格

技术参数

正向电压 750mV @60A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 800 A

正向电压Max 750mV @60A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MBR12060CT引脚图与封装图

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