MUSES02
数据手册.pdf
NJR
新日本无线
电子元器件分类
MUSES02中文资料参数规格
技术参数
供电电流 8 mA
电路数 2
通道数 2
共模抑制比 80 dB
增益频宽积 11 MHz
输入补偿电压 300 µV
输入偏置电流 100 nA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-8
外形尺寸
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUSES02引脚图与封装图
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