MBRH20030
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
正向电压 650mV @200A
正向电流 200 A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 3000 A
正向电压Max 650mV @200A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 40 ℃
安装方式 Through Hole
封装 D-67
封装 D-67
工作温度 40℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅