MBRH20080R
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
正向电压 840mV @200A
正向电压Max 840mV @200A
封装 D-67
封装 D-67
工作温度 125 ℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MBRH20080R | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 80V 200A 2Pin Case D-67 | 搜索库存 |