MBR3580

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Schottky 80V 35A 2Pin DO-4

Diode Schottky 80V 35A Chassis, Stud Mount DO-4

得捷:
DIODE SCHOTTKY 80V 35A DO4

艾睿:
Diode Schottky 80V 35A 2-Pin DO-4

Electro Sonic:
Schottky Rectifier - 80 V - 35 A - DO-4

MBR3580中文资料参数规格

技术参数

正向电压 840mV @35A

正向电流Max 35 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-4

外形尺寸

封装 DO-4

物理参数

工作温度 110 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MBR3580引脚图与封装图

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