MBR35100

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Schottky 100V 35A 2Pin DO-4

肖特基 100 V 35A 底座，接线柱安装 DO-4

得捷:
DIODE SCHOTTKY 100V 35A DO4

贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 100V - 35A Schottky Rectifier

艾睿:
Diode Schottky 100V 35A 2-Pin DO-4

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR MBR35100 Diode Module, 100 V, 35 A, 840 mV, Single

Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Schottky Std Config - 100V - 35A - DO-4

Win Source:
DIODE SCHOTTKY 100V 35A DO4 / Diode Schottky 100 V 35A Chassis, Stud Mount DO-4

MBR35100中文资料参数规格

技术参数

正向电压 840mV @35A

正向电流 35 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 600 A

正向电压Max 840 mV

正向电流Max 35 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-4

外形尺寸

高度 11.1 mm

封装 DO-4

物理参数

工作温度 55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

MBR35100引脚图与封装图

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