MSMLJ51CA

Microsemi(美高森美) 主动器件

DO-214AB 51V 3000W

**SURFACE MOUNT, 3000 Watt, Transient Voltage Suppressor**

立创商城:
Vrwm:51V 3kW

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 3KW 2-Pin DO-214AB

Verical:
TVS Diode Single Bi-Dir 51V 3KW 2-Pin SMC Bag

MSMLJ51CA中文资料参数规格

技术参数

钳位电压 82.4 V

最大反向电压（Vrrm） 51V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W

最小反向击穿电压 56.7 V

击穿电压 56.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用通用

符合标准

RoHS标准

含铅标准

MSMLJ51CA引脚图与封装图

MSMLJ51CA引脚图

MSMLJ51CA封装图

MSMLJ51CA封装焊盘图

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型号	制造商	描述	购买
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替代型号MSMLJ51CA

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型号： MSMLJ51CA 品牌： Microsemi 美高森美封装： DO-214AB	当前型号	DO-214AB 51V 3000W	当前型号
型号： MSMLJ51CAE3 品牌：美高森美封装： DO-214AB-2	完全替代	DO-214AB 51V 3000W	MSMLJ51CA和MSMLJ51CAE3的区别
型号： MSMLJ51CAE3/TR 品牌：美高森美封装：	完全替代	Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 51V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN	MSMLJ51CA和MSMLJ51CAE3/TR的区别
型号： MSMLJ51CATR 品牌：美高森美封装：	功能相似	DO-214AB 51V 3000W	MSMLJ51CA和MSMLJ51CATR的区别