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MSMLJ11CAE3

MSMLJ11CAE3

数据手册.pdf

ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS

**SURFACE MOUNT, 3000 Watt, Transient Voltage Suppressor**

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High Reliability controlled devices
.
Unidirectional and Bidirectional construction
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Available in both J-bend and Gull-wing terminations
.
Selections for 5.0 to 170 V standoff voltages Vwm

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 11V 3KW 2-Pin DO-214AB


Verical:
TVS Diode Single Bi-Dir 11V 3KW 2-Pin SMC Bag


MSMLJ11CAE3中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 18.2 V

最大反向电压（Vrrm） 11V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W

最小反向击穿电压 12.2 V

击穿电压 12.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB-2

外形尺寸

高度 2.16 mm

封装 DO-214AB-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

MSMLJ11CAE3引脚图与封装图
MSMLJ11CAE3引脚图

MSMLJ11CAE3引脚图

MSMLJ11CAE3封装图

MSMLJ11CAE3封装图

MSMLJ11CAE3封装焊盘图

MSMLJ11CAE3封装焊盘图

在线购买MSMLJ11CAE3
型号 制造商 描述 购买
MSMLJ11CAE3 Microsemi 美高森美 ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS 搜索库存
替代型号MSMLJ11CAE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MSMLJ11CAE3

品牌： Microsemi 美高森美

封装： DO-214AB

当前型号

ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS

当前型号

型号： MSMLJ11CA

品牌： 美高森美

封装： DO-214AB

完全替代

DO-214AB 11V 3000W

MSMLJ11CAE3和MSMLJ11CA的区别

型号： MSMLJ11CAE3/TR

品牌： 美高森美

封装：

功能相似

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 11V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN

MSMLJ11CAE3和MSMLJ11CAE3/TR的区别