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MBRB1090-E3/8W

MBRB1090-E3/8W

数据手册.pdf

Siliconix MBRB1090-E3/8W, SMT Schottky Diode, 90V 10A, 2+Tab-Pin TO-263AB

**Features:**

* Guardring for Overvoltage Protection

* Lower Power Losses, High Efficiency

* Low Forward Voltage Drop

* Low Leakage Current

* High Forward Surge Capability

* High Frequency Operation

* Meets MSL Level 1, Per J-STD-020, LF Maximum Peak of 245°C For TO-263AB Package

* Solder Dip 260°C, 40 s For TO-220AB and ITO-220AB Package

* Component in Accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

**Applications:**

For use in high frequency rectifier of switching mode power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc converters or polarity protection application.

MBRB1090-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 0.65 V

热阻 2℃/W RθJC

正向电流 10 A

正向电流Max 10 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.45 mm

高度 9.14 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MBRB1090-E3/8W引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MBRB1090-E3/8W Vishay Semiconductor 威世 Siliconix MBRB1090-E3/8W, SMT Schottky Diode, 90V 10A, 2+Tab-Pin TO-263AB 搜索库存
替代型号MBRB1090-E3/8W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MBRB1090-E3/8W

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： D2PAK

当前型号

Siliconix MBRB1090-E3/8W, SMT Schottky Diode, 90V 10A, 2+Tab-Pin TO-263AB

当前型号

型号： MBRB10100-E3/8W

品牌： 威世

封装： TO-263-3

完全替代

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

MBRB1090-E3/8W和MBRB10100-E3/8W的区别

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