MTD6N20E1
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MTD6N20E1中文资料参数规格
封装参数
封装 -
外形尺寸
封装 -
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MTD6N20E1引脚图与封装图
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在线购买MTD6N20E1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MTD6N20E1 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK | 搜索库存 |
替代型号MTD6N20E1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： MTD6N20E1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK | 当前型号 |
| 型号： MTD6N20ET4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 200V 6A 460mohms 480pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MTD6N20ET4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V | MTD6N20E1和MTD6N20ET4G的区别 |
| 型号： MTD5P06VT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 P-Channel 60V 5A 450mohms 510pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MTD5P06VT4G 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V | MTD6N20E1和MTD5P06VT4G的区别 |
| 型号： MTD6P10E 品牌： 安森美 封装： TO-252 P-CH 100V 6A | 功能相似 | DPAK P-CH 100V 6A | MTD6N20E1和MTD6P10E的区别 |
