M48T35Y-70MH6E中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 70.0 GHz
耗散功率 1000 mW
存取时间 70.0 ns
内存容量 256000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
外形尺寸
封装 SOIC-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
M48T35Y-70MH6E引脚图与封装图
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在线购买M48T35Y-70MH6E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M48T35Y-70MH6E | ST Microelectronics 意法半导体 | 5V ， 256千位（ 32 KB ×8 ） TIMEKEEPER SRAM 5V, 256 Kbit 32 Kb x 8 TIMEKEEPER SRAM | 搜索库存 |
替代型号M48T35Y-70MH6E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M48T35Y-70MH6E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 5V 28Pin | 当前型号 | 5V ， 256千位（ 32 KB ×8 ） TIMEKEEPER SRAM 5V, 256 Kbit 32 Kb x 8 TIMEKEEPER SRAM | 当前型号 |
| 型号： M48T35Y-70MH6F 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 5V 28Pin | 完全替代 | 5V ， 256千位（ 32 KB ×8 ） TIMEKEEPER SRAM 5V, 256 Kbit 32 Kb x 8 TIMEKEEPER SRAM | M48T35Y-70MH6E和M48T35Y-70MH6F的区别 |
| 型号： M48T35Y-70MH1F 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 5V 28Pin | 类似代替 | M48T 系列 256Kb 32Kb x 8 SOH-28 计时器 SRAM 带10 % VTP 70 ns 卷盘包装 | M48T35Y-70MH6E和M48T35Y-70MH1F的区别 |
| 型号： M48T35Y-70MH1E 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 5V 28Pin | 类似代替 | 5V ， 256千位（ 32 KB ×8 ） TIMEKEEPER SRAM 5V, 256 Kbit 32 Kb x 8 TIMEKEEPER SRAM | M48T35Y-70MH6E和M48T35Y-70MH1E的区别 |