极性 N-Channel
耗散功率 1560 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10
最大电流放大倍数hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
封装 DPAK-252
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 2500
RoHS标准 Non-Compliant
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: MJD31C 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: DPAK N-Channel 1560mW | 当前型号 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | 当前型号 | |
型号: MJD31CT4G 品牌: 安森美 封装: TO-252 NPN 100V 3A 1560mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE | MJD31C和MJD31CT4G的区别 | |
型号: MJD31CG 品牌: 安森美 封装: TO-252 NPN 100V 3A 1560mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJD31CG 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE | MJD31C和MJD31CG的区别 | |
型号: NJVMJD31CT4G 品牌: 安森美 封装: TO-252 NPN 1560mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NJVMJD31CT4G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE | MJD31C和NJVMJD31CT4G的区别 |