MTD2955V
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ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
MTD2955V中文资料参数规格
技术参数
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
MTD2955V引脚图与封装图
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在线购买MTD2955V
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTD2955V | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET的12A ， 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK | 搜索库存 |
替代型号MTD2955V
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTD2955V 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 功率MOSFET的12A ， 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK | 当前型号 |
| 型号： MTD2955VT4G 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | 功率MOSFET的12A ， 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK | MTD2955V和MTD2955VT4G的区别 |
| 型号： MTD2955VG 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | 功率MOSFET的12A ， 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK | MTD2955V和MTD2955VG的区别 |
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