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MJD31CT4

MJD31CT4

数据手册.pdf

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors

**DPAK For Surface Mount Applications**

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

**Features**

• Pb−Free Packages are Available

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “1” Suffix

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel “T4” Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series

• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V Machine Model, C 400 V

MJD31CT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 3.00 A

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD31CT4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJD31CT4
型号 制造商 描述 购买
MJD31CT4 ON Semiconductor 安森美 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD31CT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJD31CT4

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： DPAK 100V 3A

当前型号

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

当前型号

型号： MJD31CT4G

品牌： 安森美

封装： TO-252 NPN 100V 3A 1560mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  MJD31CT4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

MJD31CT4和MJD31CT4G的区别

型号： MJD31CRLG

品牌： 安森美

封装： TO-252-3 NPN 100V 3A 1560mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  MJD31CRLG  双极性晶体管, NPN, 100V D-PAK

MJD31CT4和MJD31CRLG的区别

型号： MJD31CTF

品牌： 安森美

封装： DPAK 1560mW

完全替代

功率 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

MJD31CT4和MJD31CTF的区别