MBT35200MT2G中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 35 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @1.5A, 1.5V
最大电流放大倍数hFE 100 @1A, 1.5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MBT35200MT2G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MBT35200MT2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT35200MT2G | ON Semiconductor 安森美 | TSOP PNP 35V 2A | 搜索库存 |
替代型号MBT35200MT2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT35200MT2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TSOP PNP | 当前型号 | TSOP PNP 35V 2A | 当前型号 |
| 型号： SNSS35200MR6T1G 品牌： 安森美 封装： TSOP PNP | 完全替代 | TSOP PNP 35V 2A | MBT35200MT2G和SNSS35200MR6T1G的区别 |
| 型号： MBT35200MT1G 品牌： 安森美 封装： TSOP PNP -35V -2A 1000mW | 类似代替 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MBT35200MT2G和MBT35200MT1G的区别 |
| 型号： NSS35200MR6T1G 品牌： 安森美 封装： TSOP PNP -35V -2A 1000mW | 类似代替 | 35 V ， 5 A ，低VCE （ sat）的PNP晶体管 35 V, 5 A, Low VCEsat PNP Transistor | MBT35200MT2G和NSS35200MR6T1G的区别 |